Анонсированы первые в мире 40-нм микросхемы памяти

[Pronets[Ru]]

Компания Samsung сообщила о создании первой в мире микросхемы динамической памяти с произвольным доступом (DRAM), изготовленной с применением 40-нанометровой технологии. Были продемонстрированы образцы 40-нанометровых микросхем DDR2 емкостью 1 гигабайт, а также модули DDR2-800 SODIMM объемом 1 Гб. Эти микросхемы уже сертифицированы для работы совместно с набором системной логики Intel GM45 Express, который предназначен для использования в ноутбуках

<a href="http://pc.km.ru/news/view.asp?id=126DD35BBFF648079F1BA33DA6B93F36" target="_blank"><b><u>Читать дальше...</u></b></a>